Neuer Rekord mit 604 Gigahertz
Prozessoren & Overclocking: Amerikanische Forscher bauen weltweit schnellsten Transistor
Ein neuer Rekord: Forscher der Universität von Illinois (USA) haben nach eigenen Angaben den schnellsten Transistor der Welt entwickelt. Bei Tests habe der Prototyp die 600-Gigahertz-Marke überschritten.
Mit bis zu 604 Gigahertz wurde der Transistor getaktet. Damit haben die Forscher den aktuellen Rekord des No.2 des Elektronik-Giganten Fujitsu um 40 Gigahertz überboten. Auf ihren Lorbeeren ausruhen, wollen sich die Wissenschaftler allerdings nicht: Noch bis Ende des Jahres soll auch die 1-Terrahertz-Marke (1.000 GHz) geknackt werden.
Neue Materialien führten zum Erfolg
Ermöglicht wurde der neue Geschwindigkeitsrekord durch die Verwendung neuer Materialien: Der Transistor besteht aus Indium-Phosphid und Indium-Gallium-Arsenid, wodurch zum einen die Dichte und zum anderen die Übertragungsrate erhöht werden konnte.
Mit der Forschung nach immer schnelleren Transistoren wird der Weg für immer schnellere Recheneinheiten geebnet. Derzeitige Mainstream-Chips wie Intels Pentium nutzen Transistoren mit lediglich drei und vier Gigahertz.